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半導(dǎo)體光伏廢水深度除氟樹(shù)脂

更新時(shí)間：2024-07-10　點(diǎn)擊量：2223

　　摘要：海普開(kāi)發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑，這種樹(shù)脂對(duì)水體中的氟均具有高效的選擇性，已應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域含氟廢水的處理，為客戶(hù)提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。

　　#半導(dǎo)體光伏廢水深度除氟樹(shù)脂半導(dǎo)體作為各種高新技術(shù)飛速發(fā)展的基礎(chǔ)，其重要性不言而喻。近十年來(lái)，國(guó)家相繼推出多項(xiàng)政策鼓勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，然而，快速的發(fā)展過(guò)程也帶來(lái)了污染問(wèn)題。

　　芯片生產(chǎn)廢水中的污染問(wèn)題一直未被重視，其中包括高氟廢水，刻蝕母液廢水中產(chǎn)生大量的氫氟酸，氟去除難度大，需要大量投加鈣離子。

　　彩膜廢水具有色度高的特點(diǎn)，有機(jī)物含有偶氮基、硫代羰基等發(fā)色基團(tuán)和羥基及?；戎鶊F(tuán)，脫色困難，生化性差。含磷廢水中有機(jī)磷和無(wú)機(jī)磷的濃度高。此外還有重金屬銅廢水，對(duì)微生物毒害大。傳統(tǒng)的生化工藝難以實(shí)現(xiàn)較好的去除效果，需分類(lèi)治理。

　　針對(duì)于半導(dǎo)體芯片染料廢水中的氟廢水的處理較棘手，工業(yè)廢水氟離子的排放標(biāo)準(zhǔn)為10ppm，但是近年來(lái)地方標(biāo)準(zhǔn)氟離子的去除提升至地表四類(lèi)水1.5ppm。進(jìn)水pH低且有機(jī)質(zhì)低，單一的生化或物化技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)高氟廢水污染物的深度去除。

　　現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)鈣離子沉淀+絮凝沉淀可明顯降低出水氟，但是并不能深度去除氟離子，難以滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的排放要求。因此亟需一種能對(duì)廢水實(shí)現(xiàn)深度、高效脫氟的工藝。

　　傳統(tǒng)雙鈣法除氟工藝對(duì)氟的去處程度有限，不能滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的廢水排放標(biāo)準(zhǔn)(出水低于1.5mg/L的深度除氟要求)，因此，實(shí)現(xiàn)含氟廢水的高效深度凈化是實(shí)現(xiàn)清潔生產(chǎn)、綠色高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題之一。

　　海普開(kāi)發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑，這種樹(shù)脂對(duì)水體中的氟均具有高效的選擇性，已應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域含氟廢水的處理，為客戶(hù)提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。

　　海普納米除氟吸附劑的主要優(yōu)勢(shì)有：

　　選擇性強(qiáng)：除氟樹(shù)脂對(duì)氟離子具有高度的選擇性，去除氟離子同時(shí)對(duì)其他陰離子和陽(yáng)離子具有較低的吸附能力；

　　吸附容量大：該型樹(shù)脂具有較高的吸附容量，可以處理大量的含氟廢水，長(zhǎng)時(shí)間使用后仍能保持較高的吸附效率，使用壽命長(zhǎng)；

　　抗污染性強(qiáng)：該型樹(shù)脂結(jié)構(gòu)及官能團(tuán)特殊，不易被污染物粘附；

　　再生性強(qiáng)：除氟樹(shù)脂可以脫附再生，避免了因廢棄而導(dǎo)致的環(huán)境污染和資源浪費(fèi)。

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